TK8S06K3L(T6L1,NQ), MOSFETs N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9846 шт., срок 6-9 недель
1 520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Описание
Unclassified
U-MOSIV MOSFETs Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 54 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet TK8S06K3L(T6L1.NQ)
pdf, 240 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
