TP86R203NL,LQ, MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V

TP86R203NL,LQ, MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4931 шт., срок 6-9 недель
1 070 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 070 ֏
Номенклатурный номер: 8005269848
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 19 A
Pd - рассеивание мощности 1.9 W
Qg - заряд затвора 17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4 ns
Время спада 3.5 ns
Высота 1.68 mm
Длина 4.9 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single Quad Drain
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия TP86R203NL
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 20 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок SOP-8
Ширина 3.9 mm
Вес, г 0.851

Техническая документация

Datasheet TP86R203NL.LQ
pdf, 255 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг