TP86R203NL,LQ, MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
![TP86R203NL,LQ, MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V](https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC006301641.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4931 шт., срок 6-9 недель
1 070 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 070 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.9 W |
Qg - заряд затвора | 17 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4 ns |
Время спада | 3.5 ns |
Высота | 1.68 mm |
Длина | 4.9 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single Quad Drain |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | TP86R203NL |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOP-8 |
Ширина | 3.9 mm |
Вес, г | 0.851 |
Техническая документация
Datasheet TP86R203NL.LQ
pdf, 255 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг