TPH2R003PL,LQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
![TPH2R003PL,LQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC006735186.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3717 шт., срок 6-9 недель
800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Pb-F POWER МОП-транзистор TRANSISTOR SOP8-ADV PD=116W F=1MHZ
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
Pd - рассеивание мощности | 116 W |
Qg - заряд затвора | 86 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8.2 ns |
Время спада | 8.6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | U-MOSIX-H |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | TPH2R003PL |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 49 ns |
Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOP-8 |
Вес, г | 0.069 |
Техническая документация
Datasheet TPH2R003PL.LQ
pdf, 457 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг