TPH4R50ANH,L1Q, MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
![TPH4R50ANH,L1Q, MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/612/DOC006612900.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3956 шт., срок 6-9 недель
3 340 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 340 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 93 A |
Pd - рассеивание мощности | 78 W |
Qg - заряд затвора | 58 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.6 ns |
Время спада | 13 ns |
Высота | 0.95 mm |
Длина | 5 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 5000 |
Серия | TPH4R50ANH |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 52 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOP-8 |
Ширина | 5 mm |
Вес, г | 0.851 |
Техническая документация
Datasheet TPH4R50ANH.L1Q
pdf, 387 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг