TPH4R50ANH,L1Q, MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET

TPH4R50ANH,L1Q, MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3956 шт., срок 6-9 недель
3 340 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 340 ֏
Номенклатурный номер: 8005269896
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 93 A
Pd - рассеивание мощности 78 W
Qg - заряд затвора 58 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9.6 ns
Время спада 13 ns
Высота 0.95 mm
Длина 5 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение U-MOSVIII-H
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 5000
Серия TPH4R50ANH
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 52 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок SOP-8
Ширина 5 mm
Вес, г 0.851

Техническая документация

Datasheet TPH4R50ANH.L1Q
pdf, 387 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг