TRS16N65FB,S1Q, Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192 шт., срок 6-9 недель
7 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
SiC Schottky Barrier Diodes Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Dual Anode Common Cathode |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| If - Forward Current: | 16 A |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 130 A |
| Ir - Reverse Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Technology: | SiC |
| Vf - Forward Voltage: | 1.6 V |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
