TTA0002(Q), Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

291 шт., срок 7-9 недель

4 140 ֏

1 шт. на сумму 4 140 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005269944

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans

Pd - рассеивание мощности	180 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	160
Максимальный постоянный ток коллектора	18 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	18 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	100
Серия	TTA0002
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	2-21F1A-3
Вид	PNP
Тип	биполярный
Вес, г	9.75