TTA006B,Q, Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC=10W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5943 шт., срок 5-8 недель

760 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 ֏

Номенклатурный номер: 8005269946

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PWR TRANS TO-126N PC=10W F=1

Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	320
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	230 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	230 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	70 MHz
Размер фабричной упаковки	250
Серия	TTA006B
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-126N-3
Вес, г	0.84