TTA008B,Q, Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=10W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1813 шт., срок 5-8 недель
720 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 100 |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-126N-3 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.84 |
Техническая документация
Datasheet TTA008B.Q
pdf, 313 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
