TTC008(Q), Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
248 шт., срок 6-9 недель
1 030 ֏
1 шт.
на сумму 1 030 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 600 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 285 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 1.5 A |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: | 200 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 173 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
