TTC5200(Q), Bipolar Transistors - BJT NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
601 шт., срок 6-9 недель
3 290 ֏
1 шт.
на сумму 3 290 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор PNP 230V 15A 30MHz 150W сквозное отверстие TO-3P (L)
Технические параметры
Base Product Number | TCR3DG -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5ВµA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 30MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3PL |
Power - Max | 150W |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | TO-3P(L) |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 230V |
Maximum DC Collector Current | 15A |
Pd - Power Dissipation | 150W |
Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Вес, г | 9.75 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг