TTD1409B,S4X, Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=25W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4530 шт., срок 6-9 недель

1 920 ֏

1 шт. на сумму 1 920 ֏

Номенклатурный номер: 8005269957

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PWR MOS PD=25W F=1MHZ

Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TTD1409B
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-126N-3
Вес, г	1.7