XPN12006NC,L1XHQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57461 шт., срок 6-9 недель
1 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 ֏
Описание
Unclassified
XPN12006NC Automotive U-MOSVIII-H MOSFETsToshiba XPN12006NC Automotive U-MOSVIII-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified in a compact, thin TSON package. The XPN12006NC features low drain-source on-resistance, low leakage current, and an enhancement mode.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TSON-8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23.7 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet XPN12006NC.L1XHQ
pdf, 562 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
