QPD1014SR, GaN FETs .03-1.2GHz 15W 50V GaN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 шт., срок 6-8 недель
92 400 ֏
от 25 шт. —
57 800 ֏
1 шт.
на сумму 92 400 ֏
Номенклатурный номер: 8005279416
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Development Kit: | QPD1014EVB01 |
| Factory Pack Quantity: | 100 |
| Gain: | 18.4 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Drain Gate Voltage: | 55 V |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 30 MHz to 1.2 GHz |
| Output Power: | 12.5 W |
| Package/Case: | DFN-8 |
| Part # Aliases: | QPD1014 |
| Pd - Power Dissipation: | 15.8 W |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaN SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | HEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 145 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2402 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
