T2G6003028-FS, GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
![T2G6003028-FS, GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless](https://static.chipdip.ru/lib/686/DOC043686211.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61 шт., срок 6-8 недель
261 000 ֏
от 25 шт. —
162 000 ֏
1 шт.
на сумму 261 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005279612
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Технические параметры
Brand: | Qorvo |
Factory Pack Quantity: | 50 |
Manufacturer: | Qorvo |
Moisture Sensitive: | Yes |
Package/Case: | NI-200 |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | T2G6003028 1100021 |
Product Category: | RF JFET Transistors |
Product Type: | RF JFET Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | GaN-on-SiC |
Transistor Type: | HEMT |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2802 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг