TGF2929-FL, GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
![TGF2929-FL, GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN](https://static.chipdip.ru/lib/686/DOC043686207.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 шт., срок 6-8 недель
679 000 ֏
от 25 шт. —
453 000 ֏
1 шт.
на сумму 679 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005279662
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Технические параметры
Brand: | Qorvo |
Factory Pack Quantity: | 25 |
Gain: | 14 dB |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | Flange Mount |
Operating Frequency: | 3.5 GHz |
Output Power: | 107 W |
Package / Case: | NI-360 |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | TGF2929 1123811 |
Pd - Power Dissipation: | 144 W |
Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | GaN SiC |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | RF Power MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 28 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 145 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -2.9 V |
Вес, г | 65 |
Техническая документация
Datasheet TGF2929-FL
pdf, 1161 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг