TGF3021-SM, GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
![TGF3021-SM, GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr](https://static.chipdip.ru/lib/023/DOC012023843.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
139 шт., срок 6-8 недель
197 000 ֏
1 шт.
на сумму 197 000 ֏
Номенклатурный номер: 8005279666
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Технические параметры
Brand: | Qorvo |
Factory Pack Quantity: | 20 |
Gain: | 19.3 dB |
Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 30 MHz to 4 GHz |
Output Power: | 30 W |
Package / Case: | QFN-20 |
Part # Aliases: | TGF3021 1121772 |
Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | GaN SiC |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 32 V |
Вес, г | 10.01 |
Техническая документация
Datasheet TGF3021-SM
pdf, 2539 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг