SI1013X-T1-GE3, MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
432 ֏
от 100 шт. —
289 ֏
от 500 шт. —
222 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
Технические параметры
| Другие названия товара № | SI1013X-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | TrenchFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±6 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.35 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@4.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1500@4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 275 |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | SC-89 |
| Standard Package Name | SC |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.8(Max) |
| Package Length | 1.7(Max) |
| Package Width | 0.95(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet SI1013X-T1-GE3
pdf, 155 КБ
