SI1467DH-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
от 10 шт. —
760 ֏
от 100 шт. —
467 ֏
от 500 шт. —
376 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.7 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1467DH-T1-BE3 SI1405BDH-T1-GE3 SI1405DL-T1-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Rise Time: | 43 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 100 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 64 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 55 КБ
