SI1902DL-T1-E3, MOSFETs 20V 0.70A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
365 ֏
от 500 шт. —
262 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1902DL-T1-BE3 SI1902DL-E3 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 385 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 202 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 229 КБ
