SI2302CDS-T1-GE3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
![Фото 1/4 SI2302CDS-T1-GE3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/865/DOC006865308.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
580 ֏
от 10 шт. —
489 ֏
от 100 шт. —
334 ֏
от 500 шт. —
258 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,1А, 0,46Вт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
Pd - рассеивание мощности | 860 mW |
Qg - заряд затвора | 5.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 7 ns |
Время спада | 7 ns |
Высота | 1.45 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | SI2302CDS-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet Si2302CDS
pdf, 214 КБ