SI2316BDS-T1-GE3, MOSFETs 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 ֏
от 10 шт. —
670 ֏
от 100 шт. —
400 ֏
от 500 шт. —
324 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.66 W |
| Qg - заряд затвора | 6.35 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SI2316BDS-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet SI2316BDS-T1-GE3
pdf, 219 КБ
