SI3424BDV-T1-GE3, MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

800 ֏

от 10 шт. — 670 ֏

от 100 шт. — 418 ֏

от 500 шт. — 316 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 800 ֏

Номенклатурный номер: 8005284139

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V

Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	2.98 W
Qg - заряд затвора	19.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SI3424BDV-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	TSOP-6
Вес, г	0.02