SI3438DV-T1-E3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
![SI3438DV-T1-E3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517505.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 380 ֏
от 10 шт. —
1 070 ֏
от 100 шт. —
780 ֏
от 500 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7.4 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 3.05 mm |
Другие названия товара № | SI3438DV-E3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | TSOP-6 |
Ширина | 1.65 mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 214 КБ