SI3443CDV-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

630 ֏

от 10 шт. — 540 ֏

от 100 шт. — 360 ֏

от 500 шт. — 275 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 ֏

Номенклатурный номер: 8005284151

Unclassified

МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

Id - непрерывный ток утечки	5.97 A
Pd - рассеивание мощности	3.2 W
Qg - заряд затвора	12.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.1 mm
Длина	3.05 mm
Другие названия товара №	SI3443CDV-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	TSOP-6
Ширина	1.65 mm
Вес, г	0.02