SI3460BDV-T1-E3, MOSFETs 20V 8.0A 3.5W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 120 ֏
от 10 шт. —
940 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
от 500 шт. —
465 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 120 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 60 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Другие названия товара № | SI3460BDV-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Ширина | 1.65 mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet SI3460BDV-T1-E3
pdf, 217 КБ
