SI3469DV-T1-GE3, MOSFETs 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V
![SI3469DV-T1-GE3, MOSFETs 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517505.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 ֏
от 10 шт. —
1 030 ֏
от 100 шт. —
760 ֏
от 500 шт. —
600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 340 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Qg - заряд затвора | 30 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 51 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SI3469DV-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | TSOP-6 |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 186 КБ