SI4114DY-T1-E3, MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 960 ֏

от 10 шт. — 1 520 ֏

от 100 шт. — 1 120 ֏

от 500 шт. — 890 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 960 ֏

Номенклатурный номер: 8005284172

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 20V Vds 16V Vgs SO-8

Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	5.7 W
Qg - заряд затвора	95 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Другие названия товара №	SI4114DY-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SO-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.187