SI4154DY-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 780 ֏
от 10 шт. —
1 380 ֏
от 100 шт. —
1 020 ֏
от 500 шт. —
810 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 780 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор полевой N-канальный 40В 36A
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0039 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet SI4154DY-T1-GE3
pdf, 86 КБ
