SI4425BDY-T1-E3, MOSFETs 30V 11A 2.5W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 10 шт. —
1 430 ֏
от 100 шт. —
1 080 ֏
от 500 шт. —
860 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V 11A 2.5W
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 11.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 100 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 53 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SI4425BDY-T1 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 29 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 159 КБ
