SI4483ADY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 520 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
от 100 шт. —
850 ֏
от 500 шт. —
680 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -15,4А, 3,8Вт, SO8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | -15.4A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 44.8nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 8.8mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.8W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 168 КБ
