SI4488DY-T1-E3, MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 760 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
от 100 шт. —
1 640 ֏
от 250 шт. —
1 520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 760 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Si4 TrenchFET® Power MOSFETs Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4488DY-E3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 126 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 67 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 111 КБ
