SI4800BDY-T1-GE3, MOSFETs 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 070 ֏

от 10 шт. — 850 ֏

от 100 шт. — 630 ֏

от 500 шт. — 472 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 070 ֏

Номенклатурный номер: 8005284223

Unclassified

МОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Qg - заряд затвора	13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	18.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Другие названия товара №	SI4800BDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SO-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.187