SI4825DDY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 160 ֏
от 10 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
680 ֏
от 500 шт. —
520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Unclassified
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 25V.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 14.9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0205 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 168 КБ
