SI4835DDY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 520 ֏

от 10 шт. — 1 120 ֏

от 100 шт. — 860 ֏

от 500 шт. — 670 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 520 ֏

Номенклатурный номер: 8005284228

Unclassified

• P-channel 30V (D-S) MOSFET
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested
• Applicable for load switches, notebook PCs and desktop PCs

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.014Ом
Power Dissipation	2.5Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	8.7А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.014Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.15