SI4842BDY-T1-GE3, MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 030 ֏

от 10 шт. — 2 360 ֏

от 100 шт. — 1 780 ֏

от 250 шт. — 1 560 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 030 ֏

Номенклатурный номер: 8005284232

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

Id - непрерывный ток утечки	28 A
Pd - рассеивание мощности	6.25 W
Qg - заряд затвора	100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SI4842BDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SO-8
Вес, г	0.187