SI4850EY-T1-E3, MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
![SI4850EY-T1-E3, MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8](https://static.chipdip.ru/lib/776/DOC042776658.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 180 ֏
от 10 шт. —
1 690 ֏
от 100 шт. —
1 290 ֏
от 500 шт. —
1 020 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Case | SO8 |
Drain current | 8.5A |
Drain-source voltage | 60V |
Gate charge | 27nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 47mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 3.3W |
Pulsed drain current | 40A |
Technology | TrenchFET® |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.26 |
Техническая документация
SI4850EY
pdf, 248 КБ