CNY64B, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 100-200%
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 320 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 060 ֏
от 500 шт. —
990 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 320 ֏
Описание
Optoelectronics\Optocouplers / Photocouplers\Transistor Output Optocouplers
Описание Транзисторная оптопара CNY64B от VISHAY - идеальный выбор для обеспечения высокоэффективной гальванической развязки в электронных схемах. Этот одноканальный компонент обеспечивает выходное напряжение до 32 В, а его коэффициент передачи тока (CTR) находится в диапазоне 100-200% при токе 5мА. Время включения составляет всего 5 мкс, а время выключения - 3 мкс, что обеспечивает быстрое реагирование на изменения сигнала. Надежность изоляции подтверждается напряжением 8.2 кВ. Монтаж оптопары осуществляется методом сквозного монтажа (THT), что облегчает интеграцию в различные электронные устройства. CNY64B подходит для широкого круга областей применения, где требуется надежная изоляция сигналов. Характеристики | Категория | Оптопара |
| Тип | транзисторная |
| CTR@If | 100-200%@5mA |
| Вид выхода | транзистор |
| Кол-во каналов | 1 |
| Выходное напряжение макс., В | 32 |
| Время включения, мкс | 5 |
| Время выключения, мкс | 3 |
| Напряжение изоляции, кВ | 8.2 |
| Монтаж | THT |
Технические параметры
| Channels | 1 |
| Collector Current Max. | 50 mA |
| Collector-Emitter Saturation Voltage Max. | 0.3 V |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO) Max. | 32 V |
| Current Transfer Ratio (CTR) Max. | 200% |
| Current Transfer Ratio (CTR) Min. | 100% |
| Emitter−Collector Voltage (VECO) Max. | 7 V |
| Forward Current (If) Max. | 75 mA |
| Forward Voltage (Vf) Max. | 1.6 V |
| Operating Temperature Max. | 100 °C |
| Operating Temperature Min. | -55 °C |
| Output Type | Phototransistor |
| Power Dissipation (Pd) | 250 mW |
| Reverse Voltage (Vr) | 5 V |
| Automotive | No |
| Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Input Type | DC |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Collector Current (mA) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 300 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 32 |
| Maximum Current Transfer Ratio (%) | 200 |
| Maximum Forward Current (mA) | 75 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 5 |
| Minimum Current Transfer Ratio (%) | 100 |
| Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 8200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Output Device | Transistor |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Standard | DIN|EN|UL|VDE |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | PDIP |
| Typical Fall Time (us) | 2.7 |
| Typical Forward Voltage (V) | 1.25 |
| Typical Rise Time (us) | 2.4 |
| Вес, г | 1.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 166 КБ
xpCNY64_to_CNY66_e.pdf
pdf, 167 КБ
