IRF820APBF-BE3, MOSFETs 500V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 140 ֏
от 10 шт. —
1 650 ֏
от 100 шт. —
1 270 ֏
от 250 шт. —
1 090 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 140 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 17 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 13 ns |
Другие названия товара № | IRF820APBF |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.1 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRF820APBF-BE3
pdf, 279 КБ