IRFD113PBF, MOSFETs 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 110 ֏
от 500 шт. —
940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | IRFD |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | HVMDIP-4 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 800@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 250 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | HVMDIP |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 135@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 253 КБ
Datasheet IRFD113PBF
pdf, 244 КБ
