IRFR210TRLPBF-BE3, MOSFETs 200V N-CH HEXFET D-PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 250 ֏

от 10 шт. — 980 ֏

от 100 шт. — 710 ֏

от 500 шт. — 560 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 250 ֏

Номенклатурный номер: 8005289120

Unclassified

МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D-PAK

Id - непрерывный ток утечки	2.6 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Qg - заряд затвора	8.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	17 ns
Время спада	8.9 ns
Другие названия товара №	IRFR210TRLPBF
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	IRFR
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	8.2 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-252-2
Вес, г	9