SI1034CX-T1-GE3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
445 ֏
от 10 шт. —
329 ֏
от 100 шт. —
183 ֏
от 1000 шт. —
118 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 445 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,49А, 0,14Вт, SC89
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.396 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SC-89-6 |
| Pin Count | 6 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet SI1034CX-T1-GE3
pdf, 154 КБ
