SI2308CDS-T1-GE3, MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2308CDS-T1-GE3, MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
489 ֏
от 10 шт.383 ֏
от 100 шт.232 ֏
от 1000 шт.132 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 489 ֏
Номенклатурный номер: 8005289717

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand Vishay/Siliconix
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 16 ns
Forward Transconductance - Min 3.2 S
Id - Continuous Drain Current 2.6 A
Manufacturer Vishay
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 1.6 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 200 mOhms
Rise Time 25 ns
Series Si2308CDS
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 10 ns
Typical Turn-On Delay Time 23 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Вес, г 0.1461

Техническая документация