SI2308CDS-T1-GE3, MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
![SI2308CDS-T1-GE3, MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
от 10 шт. —
383 ֏
от 100 шт. —
232 ֏
от 1000 шт. —
132 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand | Vishay/Siliconix |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 16 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.2 S |
Id - Continuous Drain Current | 2.6 A |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
Rise Time | 25 ns |
Series | Si2308CDS |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 23 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Вес, г | 0.1461 |
Техническая документация
Datasheet SI2308CDS-T1-GE3
pdf, 171 КБ