SI3421DV-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
489 ֏
от 100 шт. —
347 ֏
от 500 шт. —
262 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 4.2 W |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 8.3 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 19.2@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 16 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 110 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 2 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 50 |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 1.6 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | TSOP |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.85 |
| Typical Fall Time (ns) | 13|17 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 46 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 46@10V|21@4.5V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 2.8 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 6.1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2580@15V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 256 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 12 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 21.5 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 225@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 9|40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 36|55 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7|58 |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0192 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | TSOP-6 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.02 |
