SI3483DDV-T1-GE3, MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Фото 1/3 SI3483DDV-T1-GE3, MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
720 ֏
от 10 шт.580 ֏
от 100 шт.374 ֏
от 500 шт.280 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 720 ֏
Номенклатурный номер: 8005289736

Описание

Unclassified
МОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 3 W
Qg - заряд затвора 9.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 31.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 33 ns
Время спада 40 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 30 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TSOP-6
Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.026Ом
Power Dissipation 3Вт
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET Gen IV
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока
Пороговое Напряжение Vgs 2.2В
Рассеиваемая Мощность 3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.026Ом
Стиль Корпуса Транзистора TSOP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Maximum Continuous Drain Current 6.4 A
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type TSOP-6
Вес, г 0.2338

Техническая документация

Datasheet
pdf, 211 КБ