SI4103DY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

980 ֏

от 10 шт. — 760 ֏

от 100 шт. — 530 ֏

от 500 шт. — 396 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 980 ֏

Номенклатурный номер: 8005289743

Unclassified

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.0067Ом
Power Dissipation	5.2Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen III
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	16А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	5.2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0067Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.2338