SI4143DY-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

980 ֏

от 10 шт. — 800 ֏

от 100 шт. — 540 ֏

от 500 шт. — 402 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 980 ֏

Номенклатурный номер: 8005289744

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.0051Ом
Power Dissipation	6Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	25.3А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0051Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Вес, г	0.074