SI4288DY-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
![SI4288DY-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171135.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 690 ֏
от 10 шт. —
1 290 ֏
от 100 шт. —
970 ֏
от 500 шт. —
770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 ֏
Описание
Unclassified
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 9.2А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 3.1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0165Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Вес, г | 0.75 |
Техническая документация
Datasheet SI4288DY-T1-GE3
pdf, 256 КБ