SI4403DDY-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 ֏
от 10 шт. —
540 ֏
от 100 шт. —
329 ֏
от 500 шт. —
244 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.4 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Rise Time: | 25 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 256 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 71 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 52 КБ
