SI4425FDY-T1-GE3, MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

890 ֏

от 10 шт. — 760 ֏

от 100 шт. — 485 ֏

от 500 шт. — 393 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 890 ֏

Номенклатурный номер: 8005289751

Unclassified

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET. TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.0077Ом
Power Dissipation	4.8Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	18.3А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.2В
Рассеиваемая Мощность	4.8Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0077Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	18.3 A
Maximum Drain Source Resistance	0.016 Ω, 0.0095 Ω
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SO-8
Pin Count	8
Series	TrenchFET® Gen IV
Вес, г	1