SI4554DY-T1-GE3, MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
540 ֏
от 500 шт. —
405 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ, 34 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.3 nC @ 10 V, 41.5 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.5066 |
